Metal系材料ドライエッチング装置
Metal系材料ドライエッチング装置
| 装置番号 | 16 |
|---|---|
| カテゴリ |
エッチング ドライエッチング装置 |
| 主たる用途 | 塩素系ガスによるドライエッチング Si、Ａｌ、Al2O3、GaN、セラミックなど |
| 装置仕様・備考 | ・塩素素系ガスおよびフッ素系ガスによる各種材料（Si、Al、GaNなど）のエッチング ・Arガスによるスパッタエッチング ・放電方式：ICP ・使用可能ガス：BCl3、Cl2、Ar、N2、O2、F2（10%、He希釈） ・RF電力： ICP：最大 1 kW 基板Bias：最大300 W ・ロードロック式 ・到達真空度：10-4 Pa台 ・基板サイズ、厚さ： φ4インチウエハ、2 mm以下 ※小片チップはφ4インチウエハに固定 ※絶縁体ウエハは裏面に導電性膜を堆積 ・基板温度：-5～20℃（通常20℃） |
| 型番 | RIE-101iPH（塩素ガス仕様） |
| メーカー | サムコ |
| 装置利用料 | 6,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | J16：Metal系材料ドライエッチング装置除害剤 ※BCl3、Cl2、F2ガス使用時間（分） s22：石英ウエハ（溶融石英） ※装置使用後のクリーニング ※チップ貼り付け時基板 |
| 設置場所 |
1Fプロセス室  |