ALD装置

装置番号	74
カテゴリ	成膜成膜装置
主たる用途	Al2O3成膜
装置仕様・備考	・堆積膜種：Al2O3 ・加熱型ALD ・到達真空度：2 Pa ・最高基板温度：300℃ ・使用可能ガス：TMA、H2O ・基板サイズ、枚数　φ4インチウエハ：1枚　不定形基板（φ4インチ以内）・膜厚分布：±10%程度
型番	Savannah S100-4PVP
メーカー	ケンブリッジ
装置利用料	4,000円／時間
消耗品費など追加料金	TMA：TMAガス　※TMAガス使用回数（回） J74： 74ALD装置除害剤　※Al2O3膜堆積時間（分）
設置場所	1Fプロセス室