当センターは、国内有数のオープンな「半導体基盤プラットフォーム」で、その試作ラインは、フォト室はClass 100、プロセス室はClass 1,000のクリーン度を持ち、4インチサイズのウエハー(または、それ以下の円形・角型サイズの試料)で、CMOSを含めた微細加工プロセスが可能です。これにより、低コストで小回りの利いたデバイス開発が可能です。
特長1:設計から試作、評価、分析までの一貫した装置群を保有
当センターは、設計データの作成を行うシステムから、マスク作成、ウエハープロセス(前工程)、チップ組み立て(後工程)を行う製造装置、さらには各種評価装置やLSIテスターまで所有しております。一貫したデバイス開発が、当センターの中で可能です。
特長2:完全ダウンフロー+本格バックヤード(純水・ガス・廃液)
マイクロ化総合技術センターは、クリーンルームの専用建屋として設計されています。フォト室はClass 100、プロセス室はClass 1,000のクリーン度を持ち、床下は完全ダウンフロー型のグレーチング構造となっており、その周辺には、超純水の製造設備、屋外には、廃液処理プラントと緊急除外塔を備えております。それらは中央監視室で集中管理され、トランジスタ作成に不可欠な、イオン注入やシリコン堆積、メタルドライエッチング等、特殊なガスを利用する装置類の安全な運用を可能としております。
特長3:MOSトランジスタ+新機能デバイスの融合開発
2010年の装置更新により、トランジスタに加えて、MEMS構造素子の作成が可能となりました。3次元型の微細構造により各種センサーデバイスやバイオケミカル系の流路等の作成が可能で、トランジスタ素子と融合することも可能です。
特長4:機器利用コースと試作依頼コース
マイクロ化総合技術センターの利用形態としては、実験機器利用コースと、試作依頼(お任せ)コースの2つがあります。また、研究要素の高いものについては、学内教員の指導を受けながらの共同研究や委託研究での対応も可能です。お問い合わせください。