減圧CVD装置

装置番号	2
カテゴリ	成膜成膜装置
主たる用途	poly-Si成膜
装置仕様・備考	・横型炉、石英チューブ・堆積膜種：poly-Si ・使用ガス：SiH4 ・基板サイズ、枚数　φ2インチウエハ：3枚　φ3インチウエハ：3枚　φ4インチウエハ：5枚・基板温度：<600℃ ・最大成膜厚：1ミクロン・膜厚分布：±15%程度
型番	272-M200
メーカー	光洋リンドバーグ
装置利用料	4,000円／時間
消耗品費など追加料金	J2：減圧ＣＶＤ装置除害剤　※SiH4ガス使用時間=堆積時間（分）
設置場所	1Fプロセス室
関連試作事例	関連試作事例はありません