PE-CVD装置
PE-CVD装置
| 装置番号 | 3 |
|---|---|
| カテゴリ |
成膜 成膜装置 |
| 主たる用途 | SiO2、SiN、a-Si、SiON成膜 |
| 装置仕様・備考 | ・堆積膜種：SiO2、SiN、a-Si、SiON ・使用可能ガス：SiH4、NH3、N2O、Ar、N2、O2、CF4（クリーニング用） ・基板サイズ、枚数 φ4インチウエハ：3枚 φ6インチウエハ：1枚 φ8インチウエハ：1枚 ・基板厚さ：< 2 mm ・最大成膜厚：1～5 ミクロン ※膜種、堆積温度による ・膜厚分布：±10%程度 |
| 型番 | PD-200NL |
| メーカー | サムコ |
| 装置利用料 | 6,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | J3：PE-CVD装置除害剤 ※SiH4、NH3、CF4ガス使用時間（分） s18再生Siウエハ ※プレデポジション利用時 |
| 設置場所 |
1Fプロセス室  |