FIB/SEM複合装置
FIB/SEM複合装置
| 装置番号 | 57 |
|---|---|
| カテゴリ |
表面・断面観察 評価・観察装置 |
| 主たる用途 | 微細パターン観察（電子） |
| 装置仕様・備考 | 加工、表面・断面観察 ［電子光学系(EOS)］ ・FE電子銃 ・二次電子像分解能：1.2nm(加速電圧30kV),3.0nm(加速電圧1kV) ・倍率：×20(WD40mm)～1,000,000 ・像の種類：二次電子像、反射電子像 ・加速電圧：0.5～30kV(SEMモード),0.5～2.9kVは10Vステップ可変、2.9～30kVは100Vステップ可変 ・照射電流：1pA～200nA ［イオン光学系(IOS)］ ・分解能：5nm以下(加速電圧30kV) ・倍率：×30(観察),×100～300,000(加工、観察) ・加速電圧：1～30kV ・ビーム電流：1pA～30nA(加速電圧30kV) [ステージ] ・試料移動範囲：X方向50mm,Y方向50mm,Z方向1.5～41mm,FIne Z動±3mm ・傾斜方向：-5～70° ・回転方向：360°エンドレス ・標準試料ホルダ：φ12.5mm×h 10mm、φ32mm×h 20mm |
| 型番 | JIB-4600F |
| メーカー | JEOL |
| 装置利用料 | 4,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | s9：FIB-SEM FIB Gaイオン源使用 s10：FIB-SEMプラチナデポ s12：FIB-SEMカーボンデポ ※FIB使用時 ※使用時間（分） |
| 設置場所 |
2F状態評価室  |