CMP装置
CMP装置
| 装置番号 | 106 |
|---|---|
| カテゴリ |
研磨 研磨・研削装置 |
| 主たる用途 | Si、SiO2、各種金属のCMP、Si、ガラスなどの研削、各種材料表面の平坦化 |
| 装置仕様・備考 | 試料サイズ：φ4インチ テーブル駆動部 定盤径：φ508 mm 回転数：20～200 rpm 定盤冷却（冷却水） ヘッド部 駆動部推力：250 kgf 回転数：20～200 rpm ウエハ保持：セラミックヘッド、メンブレンヘッド 単位面積荷重 セラミック：50～900 gf/cm2 @ φ4インチ メンブレン：50～450 gf/cm2 @ φ4インチ ドレス部 回転数：20～200 rpm 荷重：最大10 kgf スラリー供給 タンク容量：15 L 流量：12～800 ml/min 制御機構 ヘッド部摩擦力・摩擦係数のモニター、ロギング可能 |
| 型番 | RDP-500 |
| メーカー | 不二越機械 |
| 装置利用料 | 4,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | s23：SiO2研磨用スラリー s24：Cu研磨用スラリー s25：Ti研磨用スラリー s27：高選択性SiO2研磨用スラリー ※ 利用スラリー100 g 単位 s26：CMP部材費 ※ ドレス1回単位 |
| 設置場所 |
1F材料作製室  |