厚膜CVD
厚膜CVD
| 装置番号 | 73 |
|---|---|
| カテゴリ |
成膜 成膜装置 |
| 主たる用途 | SiO2、PSG、BSG、BPSG、SiOC成膜 |
| 装置仕様・備考 | ・堆積膜種：SiO2、PSG、BSG、BPSG、SiOC ・平行平板型TEOS CVD ・RF：最大 300 W ・到達真空度：2 Pa ・最高基板温度：350℃ ・使用可能ガス：TEOS、TMP、TEB、O2、Ar、CF4（クリーニング用） ・基板サイズ、枚数 φ4インチウエハ：1枚 φ6インチウエハ：1枚 ・最大成膜厚：100 ミクロン ※膜種、堆積温度による ・膜厚分布：φ4インチ（±10%程度）、φ6インチ（±15%程度） |
| 型番 | PD-100ST |
| メーカー | サムコ |
| 装置利用料 | 4,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | J73：厚膜CVD除害剤 ※TEOS、TMP、TEB、CF4ガス使用時間（分） s18：再生Siウエハ ※プレでポジション利用時 |
| 設置場所 |
1Fプロセス室  |