高速深堀RIE
高速深堀RIE
| 装置番号 | 75 |
|---|---|
| カテゴリ |
エッチング ドライエッチング装置 成膜 |
| 主たる用途 | シリコンの深堀加工（ボッシュ） |
| 装置仕様・備考 | ・Siの深掘り ・放電方式：ICP ・使用可能ガス：SF6、C4F8、CF4、CHF3、O2、Ar、N2 ・RF電力： ICP：最大 1 kW 基板Bias：最大300 W ・ロードロック式 ・到達真空度：10-4 Pa台 ・基板サイズ、厚さ： φ4インチウエハ、2 mm以下 ※小片チップはφ4インチウエハに固定 ※絶縁体ウエハは裏面に導電性膜を堆積 ・基板温度：20℃ |
| 型番 | 800iPB |
| メーカー | サムコ |
| 装置利用料 | 6,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | J75：高速深堀RIE除害剤 ※ SF6、C4F8、CHF3ガス使用時間（分） s22：石英ウエハ（溶融石英） ※チップ貼り付け時基板 |
| 設置場所 |
1Fプロセス室  |