スパッタ装置3
スパッタ装置3
| 装置番号 | 99 |
|---|---|
| カテゴリ |
成膜 成膜装置 |
| 主たる用途 | 各種材料の成膜 |
| 装置仕様・備考 | ・各種金属膜の堆積 ・基板サイズ、枚数： 4インチウエハ 1枚 4インチ以内に収まる不定形基板 ・基板厚さ： < 2 mm ・膜厚分布：±5～10% ・ロードロック式、ファイスダウン堆積 ・ガス種：Ar、N2（リアクティブスパッタ）、O2（リアクティブスパッタ） ・非磁性体カソード：3台 ・電源：RF 1台（250 W）、DC 2台（2000 W） ・同時スパッタ：3カソードで可能（カソードおよび電源の仕様の範囲内） ・基板回転機構：有り（5～50 rpm） ・逆スパッタ機構：有り（RF電源仕様） ・基板温度：室温～600℃ ・基板水冷機構：有り（基板温度100℃以下で使用） ・ターゲットサイズ：2インチ（非磁性体：厚さ3 mm） |
| 型番 | EB-1000 |
| メーカー | キャノンアネルバ |
| 装置利用料 | 4,000円／時間 |
| 消耗品費など追加料金 | 各種ターゲット使用料金 ※成膜膜厚（10 nm）単位 |
| 設置場所 |
1Fプロセス室  |