説明
装置仕様
・各種金属膜の堆積
・基板サイズ、枚数：
4インチウエハ 1枚
4インチ以内に収まる不定形基板
・基板厚さ： < 2 mm
・膜厚分布：±5～10%
・ロードロック式、ファイスダウン堆積
・ガス種：Ar、N2（リアクティブスパッタ）、O2（リアクティブスパッタ）
・非磁性体カソード：3台
・電源：RF 1台（250 W）、DC 2台（2000 W）
・同時スパッタ：3カソードで可能（カソードおよび電源の仕様の範囲内）
・基板回転機構：有り（5～50 rpm）
・逆スパッタ機構：有り（RF電源仕様）
・基板温度：室温～600℃
・基板水冷機構：有り（基板温度100℃以下で使用）
・ターゲットサイズ：2インチ（非磁性体：厚さ3 mm）
備考
