Si系材料ドライエッチング装置 サムコ製 RIE-101iPH フッ素ガス仕様 2010年3月導入 装置利用料金 学内利用者 ¥2,000/H 学外利用者 ¥4,000/H 商品コード: 15 カテゴリー: プロセス室（1階CR） 説明 説明 装置仕様 ・Si,SiO2,SiNのエッチング ・放電方式：ICP ・ロードロック式 ・到達真空度：10-4Pa台 ・基板サイズ：4インチウエハ、もしくは、4インチ以内に収まる不定形基板 備考 関連商品 ＰＥ－ＣＶＤ装置 電気炉２号炉 電気炉３号炉 光学顕微鏡１
