説明
装置仕様
・フッ素系ガスによる各種材料（Si、SiO2、SiNなど）のエッチング
・Arガスによるスパッタエッチング
・放電方式：ICP
・使用可能ガス：CHF3、CF4、Ar、O2、F2（10%、He希釈）
・RF電力：
ICP：最大 1 kW
基板Bias：最大300 W
・ロードロック式
・到達真空度：10-4 Pa台
・基板サイズ、厚さ：
φ4インチウエハ、2 mm以下
※小片チップはφ4インチウエハに固定
※絶縁体ウエハは裏面に導電性膜を堆積
・基板温度：-5～20℃（通常20℃）
備考
