説明
装置仕様
・Si,SiO2,SiNのエッチング
・放電方式:ICP
・ロードロック式
・到達真空度:10-4Pa台
・基板サイズ:4インチウエハ、もしくは、4インチ以内に収まる不定形基板
備考
装置利用料金
学内利用者 ¥2,000/H
学外利用者 ¥4,000/H
装置仕様
・Si,SiO2,SiNのエッチング
・放電方式:ICP
・ロードロック式
・到達真空度:10-4Pa台
・基板サイズ:4インチウエハ、もしくは、4インチ以内に収まる不定形基板
備考