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Si系材料ドライエッチング装置

サムコ製 RIE-101iPH フッ素ガス仕様 2010年3月導入

装置利用料金
¥6,000/H

関連消耗品など
J15:Si系材料ドライエッチング装置除害剤
※CHF3、CF4、F2ガス使用時間(分)
※クリーニング時間(分)
s18:再生Siウエハ
※チップ貼り付け時基板
s22:石英ウエハ(溶融石英)
※装置使用後のクリーニング
※チップ貼り付け時基板

商品コード: 15 カテゴリー:

説明

装置仕様
・フッ素系ガスによる各種材料(Si、SiO2、SiNなど)のエッチング
・Arガスによるスパッタエッチング
・放電方式:ICP
・使用可能ガス:CHF3、CF4、Ar、O2、F2(10%、He希釈)
・RF電力:
ICP:最大 1 kW
基板Bias:最大300 W
・ロードロック式
・到達真空度:10-4 Pa台
・基板サイズ、厚さ:
φ4インチウエハ、2 mm以下
※小片チップはφ4インチウエハに固定
※絶縁体ウエハは裏面に導電性膜を堆積
・基板温度:-5~20℃(通常20℃)
備考