説明
装置仕様
・ドライおよびウェット酸化用
・横型炉、石英チューブ
・基板の種類:Siのみ
・基板サイズ:
4インチウエハ 10枚
25 mm角程度の試料 5枚
・ガス種:O2、N2、水蒸気(純水バブラー)
・基板温度:<1050℃
・膜厚分布:±5~10%
備考
装置利用料金
¥4,000/H
装置仕様
・ドライおよびウェット酸化用
・横型炉、石英チューブ
・基板の種類:Siのみ
・基板サイズ:
4インチウエハ 10枚
25 mm角程度の試料 5枚
・ガス種:O2、N2、水蒸気(純水バブラー)
・基板温度:<1050℃
・膜厚分布:±5~10%
備考