説明
装置仕様
・各種金属膜の堆積
・ロードロック式
・スパッタガス：Ar,N2
・リアクティブスパッタが可能
・磁性体用カソード：有り
・同時スパッタ：可能
・基板回転機構：有り
・逆スパッタ機構：有り
・電源：RF電源2,DC電源1
・基板温度：～300℃
・基板水冷機構：有り
・ターゲットサイズ：2インチ
・基板サイズ：4インチウエハ、もしくは、4インチ以内に収まる不定形基板
備考
センター側で、Al,AlSi,Au,Pt,Co,Cr,Ni,Ti,W等、２０種類以上のスパッタターゲットをご用意しております。詳細は価格表（消耗品）をご参照ください。
