説明
装置仕様
・各種金属膜の堆積
・基板サイズ、枚数:
4インチウエハ 1枚
4インチ以内に収まる不定形基板
・基板厚さ: < 2 mm
・膜厚分布:±5~10%
・ロードロック式、ファイスダウン堆積
・ガス種:Ar、N2(リアクティブスパッタ)
・磁性体用カソード:1台
・非磁性体カソード:2台
・電源:RF 2台(300 W)、DC 1台(500 W)
・同時スパッタ:3カソードで可能(カソードおよび電源の仕様の範囲内)
・基板回転機構:有り(5~50 rpm)
・逆スパッタ機構:有り(RF電源仕様)
・基板温度:室温~300℃
・基板水冷機構:有り(基板温度100℃以下で使用)
・ターゲットサイズ:2インチ(非磁性体:厚さ3 mm、磁性体:厚さ1~1.5 mm)
備考
センター側で、Al,AlSi,Au,Pt,Co,Cr,Ni,Ti,W等、20種類以上のスパッタターゲットをご用意しております。詳細は価格表(消耗品)をご参照ください。