説明
装置仕様
・各種金属膜の堆積
・ロードロック式
・スパッタガス:Ar,N2
・リアクティブスパッタが可能
・磁性体用カソード:有り
・同時スパッタ:可能
・基板回転機構:有り
・逆スパッタ機構:有り
・電源:RF電源2,DC電源1
・基板温度:~300℃
・基板水冷機構:有り
・ターゲットサイズ:2インチ
・基板サイズ:4インチウエハ、もしくは、4インチ以内に収まる不定形基板
備考
センター側で、Al,AlSi,Au,Pt,Co,Cr,Ni,Ti,W等、20種類以上のスパッタターゲットをご用意しております。詳細は価格表(消耗品)をご参照ください。