説明
装置仕様
・Siの深掘り
・放電方式：ICP
・使用可能ガス：SF6、C4F8、CF4、CHF3、O2、Ar、N2
・RF電力：
ICP：最大 1 kW
基板Bias：最大300 W
・ロードロック式
・到達真空度：10-4 Pa台
・基板サイズ、厚さ：
φ4インチウエハ、2 mm以下
※小片チップはφ4インチウエハに固定
※絶縁体ウエハは裏面に導電性膜を堆積
・基板温度：20℃
備考
高速深掘RIE
800iPB サムコ
装置利用料金
¥6,000/H
関連消耗品など
J75：高速深堀RIE除害剤
※ SF6、C4F8、CF4、CHF3ガス使用時間（分）
※ クリーニング時間（分）
s22：石英ウエハ（溶融石英）
※チップ貼り付け時基板
