説明
装置仕様
・Si、Moなどの等方性エッチング
・使用可能ガス：XeF2、N2
・到達真空度：10 Pa
・基板サイズ：
φ4インチウエハ 1枚
不定形（φ4インチ以内）
・基板温度：室温℃
備考
XeF2エッチャー
自作 自作
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
XeF2：XeF2ガス
※XeF2ガス使用回数（回）
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
XeF2：XeF2ガス
※XeF2ガス使用回数（回）
装置仕様
・Si、Moなどの等方性エッチング
・使用可能ガス：XeF2、N2
・到達真空度：10 Pa
・基板サイズ：
φ4インチウエハ 1枚
不定形（φ4インチ以内）
・基板温度：室温℃
備考
