説明
装置仕様
・堆積膜種：Al2O3
・加熱型ALD
・到達真空度：2 Pa
・最高基板温度：300℃
・使用可能ガス：TMA、H2O
・基板サイズ、枚数
φ4インチウエハ：1枚
不定形基板（φ4インチ以内）
・膜厚分布：±10%程度
備考
ALD装置
Savannah S100-4PVP ケンブリッジ
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
TMA：TMAガス
※XeF2ガス使用回数（回）
J74： 74ALD装置除害剤
※Al2O3膜堆積時間（分）
