説明
装置仕様
・極薄酸化膜形成用
・雰囲気:ガスフロー中、大気中、真空中
・温度範囲:~1000℃
・最大加熱速度:10℃/sec(SiCコート付きカーボンサセプタ使用)
・基板サイズ:4インチ
備考
装置利用料金
学内利用者 ¥2,000/H
学外利用者 ¥4,000/H
装置仕様
・極薄酸化膜形成用
・雰囲気:ガスフロー中、大気中、真空中
・温度範囲:~1000℃
・最大加熱速度:10℃/sec(SiCコート付きカーボンサセプタ使用)
・基板サイズ:4インチ
備考