説明
装置仕様
・堆積膜種：SiO2、PSG、BSG、BPSG、SiOC
・平行平板型TEOS CVD
・RF：最大 300 W
・到達真空度：2 Pa
・最高基板温度：350℃
・使用可能ガス：TEOS、TMP、TEB、O2、Ar、CF4（クリーニング用）
・基板サイズ、枚数
φ4インチウエハ：1枚
φ6インチウエハ：1枚
・最大成膜厚：100 ミクロン
※膜種、堆積温度による
・膜厚分布：φ4インチ（±10%程度）、φ6インチ（±15%程度）
備考
厚膜CVD
サムコ PD-100ST
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
J73：厚膜CVD除害剤
※TEOS、TMP、TEBガス使用時間（分）
s18：再生Siウエハ
※プレでポジション利用時
