説明
装置仕様
・堆積膜種：SiO2、SiN、a-Si、SiON
・使用可能ガス：SiH4、NH3、N2O、Ar、N2、O2、CF4（クリーニング用）
・基板サイズ、枚数
φ4インチウエハ：3枚
φ6インチウエハ：1枚
φ8インチウエハ：1枚
・基板厚さ：< 2 mm
・最大成膜厚：1～5 ミクロン
※膜種、堆積温度による
・膜厚分布：±10%程度
備考
ＰＥ－ＣＶＤ装置
サムコ製 PD-220NL 2010年3月導入
装置利用料金
¥6,000/H
関連消耗品など
J3：PE-CVD装置除害剤
※SiH4、NH3、CF4ガス使用時間（分）
s18再生Siウエハ
※プレでポジション利用時
