説明
装置仕様
・最小線幅:8nm以下(フィールド中心、100kV高分解能描画モード)
・重ね合わせ精度、フィールド接合精度:≦±20nm(100kV高分解能描画モード)
・ビーム形状:スポットビーム・加速電圧:100kV・ビーム電流:30pA~20nA
・スキャン方式:ベクタスキャン
・基板サイズ:4インチおよび5インチ角フォトマスク、Φ4インチSiウェハ対応
装置利用料金
学内利用者 ¥2,000/H
学外利用者 ¥4,000/H
装置仕様
・最小線幅:8nm以下(フィールド中心、100kV高分解能描画モード)
・重ね合わせ精度、フィールド接合精度:≦±20nm(100kV高分解能描画モード)
・ビーム形状:スポットビーム・加速電圧:100kV・ビーム電流:30pA~20nA
・スキャン方式:ベクタスキャン
・基板サイズ:4インチおよび5インチ角フォトマスク、Φ4インチSiウェハ対応