説明
装置仕様
休止中
・最小線幅：8nm以下（フィールド中心、100kV高分解能描画モード）
・重ね合わせ精度、フィールド接合精度：≦±20nm(100kV高分解能描画モード）
・ビーム形状：スポットビーム・加速電圧：100kV・ビーム電流：30pA～20nA
・スキャン方式：ベクタスキャン
・基板サイズ：4インチおよび5インチ角フォトマスク、Φ4インチSiウェハ対応
電子線描画装置
JEOL製 JBX-6300 2010年3月導入
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
s2：マスクブランクス（ステッパー用5インチ）
s3：マスクブランクス（アライナー用5インチ）
s4：マスクブランクス（アライナー用4インチ）
s5：EBレジスト（ポジ）ZEP-520
s6：EBレジスト（ネガ）SAL-601
※s2～s4使用枚数（枚）
※s5～s6使用量（cc）
