説明
装置仕様
・横型炉、石英チューブ
・堆積膜種：poly-Si
・使用ガス：SiH4
・基板サイズ、枚数
φ4インチウエハ：5枚
φ6インチウエハ：1枚
・基板温度：<600℃
・最大成膜厚：1ミクロン
・膜厚分布：±15%
備考
減圧ＣＶＤ装置
光洋リンドバーグ製 272-M200
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
J2：減圧ＣＶＤ装置除害剤
※SiH4ガス使用時間=堆積時間（分）
装置利用料金
¥4,000/H
関連消耗品など
J2：減圧ＣＶＤ装置除害剤
※SiH4ガス使用時間=堆積時間（分）
装置仕様
・横型炉、石英チューブ
・堆積膜種：poly-Si
・使用ガス：SiH4
・基板サイズ、枚数
φ4インチウエハ：5枚
φ6インチウエハ：1枚
・基板温度：<600℃
・最大成膜厚：1ミクロン
・膜厚分布：±15%
備考
