FIB/SEM複合装置

JEOL製 JIB-4600F 2010年3月導入


装置利用料金
学内利用者 ¥1,250/H

学外利用者 ¥2,000/H

商品コード: 57 カテゴリー:

説明

装置仕様
加工、表面・断面観察
[電子光学系(EOS)]
・二次電子像分解能:1.2nm(加速電圧30kV),3.0nm(加速電圧1kV)
・倍率:×20(WD40mm)~1,000,000
・像の種類:二次電子像、反射電子像
・加速電圧:0.5~30kV(SEMモード),0.5~2.9kVは10Vステップ可変、2.9~30kVは100Vステップ可変
・照射電流:1pA~200nA
[イオン光学系(IOS)]
・分解能:5nm以下(加速電圧30kV)
・倍率:×30(観察),×100~300,000(加工、観察)
・加速電圧:1~30kV
・ビーム電流:1pA~30nA(加速電圧30kV)
[ステージ]
・試料移動範囲:X方向50mm,Y方向50mm,Z方向1.5~41mm,FIne Z動±3mm
・傾斜方向:-5~70°
・回転方向:360°エンドレス
・標準試料ホルダ:12.5mmΦ×10mmh,32mmΦ×20mmhΦ

備考



お知らせ: 中核人材(プロセス)教育 参加者募集中!!

2020年度の開催については、E日程(10/20-23)以降について、申し込みを受け付けております。状況によっては開催キャンセルとなる可能性がありますので、ご了承の上、申し込みをお願いいたします。

   

 

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