説明
装置仕様
加工、表面・断面観察
［電子光学系(EOS)］
・FE電子銃
・二次電子像分解能：1.2nm(加速電圧30kV),3.0nm(加速電圧1kV)
・倍率：×20(WD40mm)～1,000,000
・像の種類：二次電子像、反射電子像
・加速電圧：0.5～30kV(SEMモード),0.5～2.9kVは10Vステップ可変、2.9～30kVは100Vステップ可変
・照射電流：1pA～200nA
［イオン光学系(IOS)］
・分解能：5nm以下(加速電圧30kV)
・倍率：×30(観察),×100～300,000(加工、観察)
・加速電圧：1～30kV
・ビーム電流：1pA～30nA(加速電圧30kV)
[ステージ]
・試料移動範囲：X方向50mm,Y方向50mm,Z方向1.5～41mm,FIne Z動±3mm
・傾斜方向：-5～70°
・回転方向：360°エンドレス
・標準試料ホルダ：φ12.5mm×h 10mm、φ32mm×h 20mm
備考
