装置の詳細

 FIB/SEM複合装置 JEOL製 JIB-4600F 2010年3月導入

状態評価室
装置仕様
加工、表面・断面観察
[電子光学系(EOS)]
 ・二次電子像分解能:1.2nm(加速電圧30kV),3.0nm(加速電圧1kV)
 ・倍率:×20(WD40mm)~1,000,000
 ・像の種類:二次電子像、反射電子像
 ・加速電圧:0.5~30kV(SEMモード),0.5~2.9kVは10Vステップ可変、2.9~30kVは100Vステップ可変
 ・照射電流:1pA~200nA
[イオン光学系(IOS)]
 ・分解能:5nm以下(加速電圧30kV)
 ・倍率:×30(観察),×100~300,000(加工、観察)
 ・加速電圧:1~30kV
 ・ビーム電流:1pA~30nA(加速電圧30kV)
[ステージ]
 ・試料移動範囲:X方向50mm,Y方向50mm,Z方向1.5~41mm,FIne Z動±3mm
 ・傾斜方向:-5~70°
 ・回転方向:360°エンドレス
 ・標準試料ホルダ:12.5mmΦ×10mmh,32mmΦ×20mmhΦ
装置利用料金(1時間当たり)
学内利用者 ¥1,000 学外利用者 ¥1,600
 
・オペレーター支援の場合は別途オペレーター料金が必要です。:3,000円/時間 (学内、学外同額)
・使用可能時間は準備から後片付けまでを含めて9:00〜16:00です。
・光熱費を除く消耗品費用は別途請求させていただきます。
装置利用制限について
単独利用 オペレーターと共に
装置を利用
全てをオペレーターに
委託して利用
装置試験の合格者のみ利用可 制限なし 制限なし