装置の詳細

 Si系材料ドライエッチング装置 サムコ製 RIE-101iPH
フッ素ガス仕様
2010年3月導入

クリーンルーム内 プロセス室
装置仕様
・Si,SiO2,SiNのエッチング
・放電方式:ICP
・ロードロック式
・到達真空度:10-4Pa台
・基板サイズ:4インチウエハ、もしくは、4インチ以内に収まる不定形基板
装置利用料金(1時間当たり)
学内利用者 ¥1,500 学外利用者 ¥2,400
 
・オペレーター支援の場合は別途オペレーター料金が必要です。:3,000円/時間 (学内、学外同額)
・使用可能時間は9:00~17:00です。(時間外の利用も相談に乗ります)